Цитата daimen:
3600, берёт, но разницы в скорости рендера практически нет, поэтому снизил разгон чтобы меньше было нагрузки на цепи питания матплаты.
Разгон ОЗУ, точнее повышение напруги на SoC, CLDO VDDP/VDDG повышает нагрузку на SoC-Фазы питания, но не на CPU-Фазы. У 99% материнских плат избыточные SoC-фазы, даже если предположить что там одна фаза на 40А без даблеров и без радиатора - то я бы сказал что разница будет скудная между 2133Mhz ОЗУ и 3800Mhz ОЗУ. В пределах 2-3 градусов на питальнике. (2-3 градусов из 60 при лимите в 120 градусов 
).
Сам же DRAM вольтаж идет вообще на отдельные фазы от Core/SoC, т.е для этого вольтажа вообще отдельные мосфеты-даблеры (обычно справа от DIMM слотов). И не удивительно но они тоже избыточны в 99.99% случаев и на них даже радиаторы никогда не ставят. Что там будет 1.2V что будет экстрим разгон на 1.8V, питальник ОЗУ это не греет. А вот плашки сами греются. И при 1.5V в 99% случаев нужен обдув. Не потому что они адски горячими становятся, а потому что при 52-55 градусах на чипах памяти лезет в разы больше ошибок чем на 45-50 градусах. Но если у памяти есть хотя бы какие то (любые, даже полу-декоративные) радиаторы и напруга на DRAM не выше 1.4V, то все это не имеет вообще никакого значения. Ну будет там мосфет от 3800Mhz ОЗУ грется на 1-2 градуса, сути нисколько не поменяет.
А вот повышение SoC напряжение например с 0.875V (2133 ОЗУ) до 1.1V (3800Mhz ОЗУ) может поднять на ~15вт потребление Uncore блоков процессора. Что выльется в +3-4 градуса к нагреву проца. Что мизер по факту. Капля в море, ну вы поняли...
Ну то-есть это я все пишу к тому что идея снижения нагрева VRM снижением разгона оперативки - прохладная история разбивающаяся об матчасть. Хотя у каждого свои заморочки, вдруг вы сидите с пирометром сняв радиаторы с мосфетов и считаете каждый градус ))
